[发明专利]半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管

摘要

本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

主权项

一种半导体器件，至少部分地被布置在衬底中或衬底上，所述半导体器件包括：凹槽，形成台面，所述台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面，所述台面包括第一导电类型的半导体材料，所述台面的半导体材料至少局部地包括第一掺杂浓度，所述第一掺杂浓度不比底平面更远地延伸到衬底中；以及导电结构，沿着台面的侧墙至少部分地被布置，所述导电结构与所述台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中，所述衬底包括第一导电类型的半导体材料，所述第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；所述半导体器件进一步包括第二导电类型的掺杂区，所述第二导电类型的掺杂区沿着到衬底中的凹槽的投影至少部分地被布置邻近于所述凹槽的底平面，以致台面对避开掺杂区的电荷载流子是易接近的；其中所述凹槽包括电接触结构，所述电接触结构被布置在所述凹槽的底平面上并且被配置成将所述第二导电类型的掺杂区电耦合到所述导电结构。