[发明专利]栅介质层的完整性检测方法有效
| 申请号： | 201410455920.2 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105388407B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何明;郭炜;李爱民 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N27/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种栅介质层的完整性检测方法，包括：提供一待测样品，所述待测样品包括有源区以及形成于所述有源区上的栅电极结构和电介质层，所述栅电极结构包括堆叠设置于有源区上的栅介质层和栅电极，所述电介质层露出所述栅电极的表面；提供一电解池，所述电解池包括电源、电解池阳极以及电解液，所述电源的阳极连接所述电解池阳极；将所述有源区与所述电源的阴极电连接；将所述栅电极和所述电解池阳极浸入所述电解液中；如果某一所述栅电极的表面产生置换金属，则判断所述某一栅电极与有源区之间的所述栅介质层失效。采用本发明提供的栅介质层的完整性检测方法可以快速准确地判断栅介质层是否完整，并能精确地定位失效的晶体管的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 完整性 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅介质层的完整性检测方法，包括：提供一待测样品，所述待测样品包括有源区以及形成于所述有源区上的栅电极结构和电介质层，所述栅电极结构包括堆叠设置于有源区上的栅介质层和栅电极，所述电介质层露出所述栅电极的表面；在所述电介质层中形成贯穿所述电介质层的开口；在所述开口内填充连接金属，并在所述开口的上方形成一与所述连接金属电连接的垫片，以实现所述有源区的电性引出；提供一电解池，所述电解池包括电源、电解池阳极以及电解液，所述电源的阳极连接所述电解池阳极；将所述有源区与所述电源的阴极电连接；将所述栅电极和所述电解池阳极浸入所述电解液中；如果某一所述栅电极的表面产生置换金属，则判断所述某一栅电极与有源区之间的所述栅介质层失效。
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