[发明专利]栅介质层的完整性检测方法

权利要求书

1.一种栅介质层的完整性检测方法，包括：

提供一待测样品，所述待测样品包括有源区以及形成于所述有源区上的栅电极结构和电介质层，所述栅电极结构包括堆叠设置于有源区上的栅介质层和栅电极，所述电介质层露出所述栅电极的表面；

在所述电介质层中形成贯穿所述电介质层的开口；

在所述开口内填充连接金属，并在所述开口的上方形成一与所述连接金属电连接的垫片，以实现所述有源区的电性引出；

提供一电解池，所述电解池包括电源、电解池阳极以及电解液，所述电源的阳极连接所述电解池阳极；

将所述有源区与所述电源的阴极电连接；

将所述栅电极和所述电解池阳极浸入所述电解液中；

如果某一所述栅电极的表面产生置换金属，则判断所述某一栅电极与有源区之间的所述栅介质层失效。

2.如权利要求1所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，采用聚焦离子束在所述电介质层中形成所述开口。

3.如权利要求1所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述连接金属和所述垫片的材料均为金属铂。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述栅介质层的完整性检测方法还包括：

在所述有源区的背离所述栅电极的一侧粘贴一绝缘基板，所述绝缘基板上设置有一用于与所述垫片导通的引脚；

将所述垫片与所述引脚通过一导线连接。

5.如权利要求4所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述有源区以及引脚间隔分布在绝缘基板上。

6.如权利要求4所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述导线为金导线。

7.如权利要求4所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，将所述有源区与所述电源的阴极电连接的步骤包括：

将所述引脚连接所述电源的阴极，实现将所述有源区与所述电源的阴极电连接。

8.如权利要求1所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述电解液为金属硝酸盐溶液、金属硫酸盐溶液或金属氯化盐溶液。

9.如权利要求1所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述电解池阳极为金属棒或碳棒。

10.如权利要求1所述的栅介质层的完整性检测方法，其特征在于，所述待测样品为MOS晶体管阵列。