[发明专利]无核心层封装基板与其制造方法

摘要

本发明公开一种无核心层封装基板与其制造方法，该方法包含以下步骤首先在承载基板上形成第一图案化金属层，其中第一图案化金属层具有牺牲区块与多个导体柱。接着在承载基板与第一图案化金属层上形成介电层，且平坦化介电层并裸露出第一图案化金属层。然后薄化第一图案化金属层，使介电层凸出于第一图案化金属层。接着在牺牲区块上形成蚀刻停止层，并按序形成第二图案化金属层、第一线路增层结构于蚀刻停止层与第一图案化金属层上。最后移除承载基板，移除第一图案化金属层的牺牲区块，并形成置晶凹槽，以及移除蚀刻停止层。本发明使凸块的高度高出于相连接或相对应的线路层，甚至高于凸块周围的介电层，而使晶片与凸块的电性连接品质更好。

主权项

一种无核心层封装基板的制造方法，其特征在于，所述无核心层封装基板的制造方法包含：在承载基板上形成第一图案化金属层，其中所述第一图案化金属层具有牺牲区块与多个导体柱；在所述承载基板与所述第一图案化金属层上形成介电层；平坦化所述介电层并裸露出所述第一图案化金属层；薄化所述第一图案化金属层，使所述介电层凸出于所述第一图案化金属层；在所述牺牲区块上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层、所述介电层、与所述第一图案化金属层上形成第二图案化金属层；在所述第二图案化金属层、所述蚀刻停止层、所述介电层、与所述第一图案化金属层上形成第一增层结构；移除所述承载基板；移除所述第一图案化金属层的所述牺牲区块，并形成置晶凹槽；以及移除所述蚀刻停止层；其中第一增层结构包含至少一个第一介电层、设于所述第一介电层上的第一增层线路层以及形成于所述第一介电层中的多个第一导电盲孔，其中部分的所述多个第一导电盲孔电性连接所述第二图形化金属层与所述第一增层线路层。