[发明专利]一种机械强度增强的多孔SiO2:F薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410454863.6 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104269345A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘雪芹;何孝金 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B05D1/28;B05D3/00;C01B31/02;C01B33/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 400054 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种机械强度增强的多孔SiO2:F薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶结合旋涂工艺制备多孔SiO2:F薄膜，以正硅酸乙酯(tetraethylorthosilicate，TEOS)为前驱体，四氢呋喃(THF)为溶剂，碳纳米管(CNTs)和氢氟酸(HF)为掺杂剂制备了多孔SiO2:F薄膜。高机械强度的CNTs掺入可以提高薄膜的硬度和弹性模量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 机械 强度 增强 多孔 sio sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种机械强度增强的多孔SiO2:F薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，溶胶配制：把0.08‑0.12mg的CNTs放在15‑30mlTHF(四氢呋喃)溶剂中，超声2‑5h，得到处理好后的含CNTs溶剂；把正硅酸乙酯、含CNTs溶剂、水、HF酸以1‑2:5‑7:1‑4:0.02摩尔比混合，在室温下用磁力搅拌器搅拌8‑10小时，让TEOS充分水解，得到均匀的溶胶，步骤二，旋涂制膜：当溶胶粘度系数达到10cp左右时，在1cm×1cm的清洗过的硅片上旋转涂敷制膜，溶胶旋涂转速为3000rpm，旋涂时间为30s，步骤三，后期热处理：在Ar气氛中退火2‑5h，退火温度为400‑480℃，获得多孔SiO2:F薄膜，制备的含CNTs多孔SiO2:F薄膜中CNTs的含量大约为10‑5(质量分数)级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
