[发明专利]固态图像传感器、其制造方法以及电子装置有效
申请号: | 201410452359.2 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104465682B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 定荣正大;泷本香织 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态图像传感器,包括:半导体基板,其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域;有机光电转换膜,通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧,并且形成在其中形成所述像素的区域;下电极,形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触;第一上电极,层叠在该有机光电转换膜的光照射侧,并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致;以及膜应力抑制体,用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用,该膜应力产生在该第一上电极上。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固态图像传感器,包括:半导体基板,其中为平面布置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域;有机光电转换膜,隔着绝缘膜层叠在所述半导体基板的光照射侧,并且形成在形成所述多个像素的区域;下电极,形成在所述有机光电转换膜的半导体基板侧且与所述有机光电转换膜接触;第一上电极,层叠在所述有机光电转换膜的光照射侧,并且形成为使得在平面上看所述固态图像传感器时,所述第一上电极的端部与所述有机光电转换膜的端部一致;以及膜应力抑制体,用于抑制膜应力在所述有机光电转换膜上的作用,所述膜应力产生在所述第一上电极上,其中,所述膜应力抑制体是层叠在所述第一上电极的光照射侧的第二上电极,并且所述第二上电极形成所述第一上电极上,其所在区域大于形成有所述第一上电极的区域,以将所述第二上电极的外围区域连接到所述绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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