[发明专利]于鳍式场效晶体管设备上形成接触结构的方法及其设备

摘要

本发明涉及于鳍式场效晶体管设备上形成接触结构的方法及其设备，其中，一种方法包括在衬底之上形成具有凹口的隆起隔离结构、在鳍片之上形成栅极结构、在凹口内形成具有外部周界表面的多个间隔埋置型鳍片接触结构(此外部周界表面接触凹口的至少一部分内部周界表面)、以及针对每一个埋置型鳍片接触结构形成至少一个源极/漏极接触结构。一种设备包括位于栅极结构的相反侧上的隆起隔离结构中的凹口内的多个间隔埋置型鳍片接触结构。每一个埋置型鳍片接触结构的上表面位于隆起隔离结构的上表面的下方，并且每一个埋置型鳍片接触结构的外部周界表面接触凹口的至少一部分内部周界表面。

主权项

一种在半导体衬底之上形成鳍式场效晶体管的方法，该晶体管包含至少一个鳍片，其中，该方法包含：进行至少一个蚀刻程序，以便在该衬底中界定该至少一个鳍片；在该衬底之上形成附有凹口形成于其中的隆起隔离结构，其中，该凹口具有位于该隆起隔离结构的上表面下方的底部表面以及内部周界表面，以及其中，该凹口的该底部表面曝露该至少一个鳍片的侧壁的至少一部分；在该至少一个鳍片之上形成栅极结构，其中该隆起隔离结构的该上表面的高度低于该栅极结构的上表面；在该凹口内至少部分填充导电材料,以在该凹口内形成多个间隔埋置型鳍片接触结构，其中该导电材料完全覆盖该底部表面并且具有高度高于该至少一个鳍片的上表面的高度，所述埋置型鳍片接触结构在该栅极结构的相反侧上的该凹口中形成，且各该埋置型鳍片接触结构导电耦接至该至少一个鳍片，并且具有位于与该隆起隔离结构的该上表面齐平或下方的平面型上表面；在该多个埋置型鳍片接触结构和该隆起隔离结构之上形成至少一层绝缘材料；以及在该至少一层绝缘材料中形成多个源极/漏极接触结构，其中，各该源极/漏极接触结构导电耦接至该多个埋置型鳍片接触结构的其中一者。