[发明专利]于鳍式场效晶体管设备上形成接触结构的方法及其设备

权利要求书

1.一种在半导体衬底之上形成鳍式场效晶体管的方法，该晶体管包含至少一个鳍片，其中，该方法包含：

进行至少一个蚀刻程序，以便在该衬底中界定该至少一个鳍片；

在该衬底之上形成附有凹口形成于其中的隆起隔离结构，其中，该凹口具有位于该隆起隔离结构的上表面下方的底部表面以及内部周界表面，以及其中，该凹口的该底部表面曝露该至少一个鳍片的侧壁的至少一部分；

在该至少一个鳍片之上形成栅极结构，其中该隆起隔离结构的该上表面的高度低于该栅极结构的上表面；

在该凹口内至少部分填充导电材料,以在该凹口内形成多个间隔埋置型鳍片接触结构，其中该导电材料完全覆盖该底部表面并且具有高度高于该至少一个鳍片的上表面的高度，所述埋置型鳍片接触结构在该栅极结构的相反侧上的该凹口中形成，且各该埋置型鳍片接触结构导电耦接至该至少一个鳍片，并且具有位于与该隆起隔离结构的该上表面齐平或下方的平面型上表面；

在该多个埋置型鳍片接触结构和该隆起隔离结构之上形成至少一层绝缘材料；以及

在该至少一层绝缘材料中形成多个源极/漏极接触结构，其中，各该源极/漏极接触结构导电耦接至该多个埋置型鳍片接触结构的其中一者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该埋置型鳍片接触结构进一步包含外部周界表面，以及其中，该多个埋置型鳍片接触结构经形成，使得各该埋置型鳍片接触结构的该外部周界表面接触该隆起隔离结构中该凹口的该内部周界表面的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，各该埋置型鳍片接触结构经形成，使得所述埋置型鳍片接触结构的该外部周界表面接触该凹口的该内部周界表面及毗连该栅极结构所形成的侧壁间隔物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在该至少一个鳍片之上形成该栅极结构包含进行栅极后制或栅极先制处理过程顺序的其中一者，以形成该栅极结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该多个源极/漏极接触结构包含形成多个柱型源极/漏极接触结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该多个源极/漏极接触结构包含形成至少四个柱型源极/漏极接触结构，其中，该至少四个柱型接触结构的其中两者导电耦接至所述埋置型鳍片接触结构的其中一者。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在该凹口内至少部分填充该导电材料包含：

在该隆起隔离结构之上沉积一层该导电材料，以便将该凹口过量填充；以及

对该层导电材料进行定时凹口蚀刻程序，以便自该隆起隔离结构的该上表面之上清除该导电材料，以及界定具有该上表面的所述埋置型鳍片接触结构，该上表面位于该隆起隔离结构的该上表面的下方。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，该栅极结构为牺牲栅极结构，以及其中，该方法在形成该多个间隔埋置型鳍片接触结构前进一步包含：

进行至少一个第二蚀刻程序，以移除该牺牲栅极结构的至少一牺牲栅极电极的一部分，以便藉此界定凹陷式牺牲栅极结构以及界定一部分栅极凹穴，其中，该至少一个第二蚀刻程序经进行，使得该凹陷式牺牲栅极结构的上表面位于该隆起隔离结构的该上表面的水平下方的水平；

随着该凹陷式牺牲栅极结构就位，进行至少一个第三蚀刻程序，以缩减在该部分栅极凹穴底下的区域中该隆起隔离结构的一部分的厚度，使得该隆起隔离结构的具有厚度缩减部位的上表面位于该凹陷式牺牲栅极电极的该上表面下方的水平；

在进行该至少一个第三蚀刻程序后，移除至少该凹陷式牺牲栅极结构，以便界定完全栅极凹穴；以及

在该完全栅极凹穴中形成取代栅极结构。