[发明专利]一种漆膜表面防静电的方法有效
| 申请号： | 201410449145.X | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104264115A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李林;许旻;王洁冰;赵印中;吴春华;左华平 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;B32B33/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 仇蕾安;李爱英 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种漆膜表面防静电的方法，具体过程为：第一步，采用离子源对漆膜表面进行清洗，清洗时间控制在1min～10min之间；第二步，在漆膜表面镀制透明导电薄膜；所述镀制为：采用不同溅射速率分三次在漆膜表面进行透明导电薄膜的溅射沉积。本发明在漆膜表面通过溅射法制备了导电的透明薄膜材料，使漆膜具有了防静电的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漆膜 表面 静电 方法 | ||
【主权项】：
一种漆膜表面防静电的方法，其特征在于，具体过程为：第一步，采用离子源对漆膜表面进行清洗，清洗时间控制在1min～10min之间；第二步，在漆膜表面镀制透明导电薄膜；所述镀制为：采用不同溅射速率分三次在漆膜表面进行透明导电薄膜的溅射沉积；第一次沉积，沉积厚度控制在10nm～20nm之间，沉积速率控制在1nm/min～2nm/min之间；沉积后进行退火处理，退火温度控制在150℃～200℃之间，时间控制在5min～10min；第二次沉积，沉积厚度控制在20nm～50nm之间，沉积速率控制在2nm/min～5nm/min之间；沉积后进行退火处理，退火温度控制在150℃～200℃之间，时间控制在10min～15min；第三次沉积，沉积厚度控制在20nm～130nm之间，沉积速率控制在2nm/min～5nm/min之间；沉积后进行退火处理，退火温度控制在150℃～200℃之间，时间控制在15min～20min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所，未经兰州空间技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410449145.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有带状叶片输料机
- 下一篇：一种特厚规格X70管线钢及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
