[发明专利]一种漆膜表面防静电的方法有效
申请号: | 201410449145.X | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN104264115A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 李林;许旻;王洁冰;赵印中;吴春华;左华平 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;B32B33/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 仇蕾安;李爱英 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漆膜 表面 静电 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种漆膜表面防静电的方法,属薄膜技术领域。
背景技术
防静电涂料本身是比较成熟的一类产品,相关研究也比较多,很多种类的涂料也可通过添加防静电填料达到导电(防静电)的目的。但是在一些特殊场合和特殊应用条件下,添加填料防静电的方法并不可取,例如,在高温、强紫外辐照、空间等环境下需要漆膜表现颜色、图案等信息,这类使用条件对漆膜的色彩进行了限定,进而对防静电涂料和填料进行了限制。因此如何在不改变漆膜本身特性的情况下,实现防静电功能是一个需要解决的问题。本发明提出了一种在不影响漆膜颜色、图案的情况下使漆膜表面导电(防静电)的方法。
发明内容
本发明解决的目的是提出了一种在不影响漆膜颜色、图案的情况下实现漆膜表面防静电的方法。
实现本发明的技术方案如下:
一种漆膜表面防静电的方法,具体过程为:
第一步,采用离子源对漆膜表面进行清洗,清洗时间控制在1min~10min之间;
第二步,在漆膜表面镀制透明导电薄膜;所述镀制为:采用不同溅射速率分三次在漆膜表面进行透明导电薄膜的溅射沉积;
第一次沉积,沉积厚度控制在10nm~20nm之间,沉积速率控制在1nm/min~2nm/min之间;沉积后进行退火处理,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在5min~10min;
第二次沉积,沉积厚度控制在20nm~50nm之间,沉积速率控制在2nm/min~5nm/min之间;沉积后进行退火处理,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在10min~15min;
第三次沉积,沉积厚度控制在20nm~130nm之间,沉积速率控制在2nm/min~5nm/min之间;沉积后进行退火处理,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在15min~20min。
进一步地,本发明所述透明导电薄膜为氧化铟锡薄膜或氧化锌薄膜。
进一步地,本发明实现三次沉积的溅射为射频磁控溅射和直流脉冲磁控溅射。
有益效果
本发明在漆膜表面通过溅射法制备了导电的透明薄膜材料(透明防静电薄膜),使漆膜具有了防静电的性能。同时,透明薄膜材料不影响漆膜的颜色、外观与图案,并具有良好的化学稳定性,对漆膜起到了一定的保护作用。
附图说明
图1为本发明制作方法的流程图;
图2为根据制作方法所制作的漆膜的结构示意图。
1.透明导电薄膜;2.漆膜(涂料)层。
具体实施方式
以下结合实例具体实例对本发明作进一步描述,但本发明不局限于下述实例。
本发明为一种漆膜表面防静电的方法,本发明通过溅射法在漆膜表面镀透明导电薄膜来达到增强漆膜防静电的能力,由于透明导电薄膜在通过溅射法制备时需解决漆膜与透明导电薄膜的应力匹配问题,避免环境温度剧烈变化时透明导电薄膜出现裂纹甚至脱落的现象。因此本发明分两步解决应力匹配问题,如图1所示,具体过程为:
第一步,采用离子源对漆膜表面进行清洗(轰击),清除漆膜表面小分子杂质,清洗时间控制在1min~10min之间。
第二部,在漆膜表面镀制透明导电薄膜;所述镀制为:采用不同磁控溅射速率分三次在漆膜表面进行透明导电薄膜的沉积,每次沉积后均进行退火处理。
第一次沉积,沉积厚度控制在10nm~20nm之间,沉积速率控制在1nm/min~2nm/min之间。第一沉积作用是对漆膜表面进行填充、减小表面粗糙度。沉积后进行退火处理以消减应力,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在5min~10min。
第二次沉积,沉积厚度控制在20nm~50nm之间,沉积速率控制在2nm/min~5nm/min之间。第二次沉积作用是对漆膜表面进行透明导电薄膜的覆盖。沉积后进行退火处理以消减应力,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在10min~15min。
第三次沉积,沉积厚度控制在20nm~130nm之间,沉积速率控制在2nm/min~5nm/min之间。第三次沉积的作用是对第二次退火后产生的微裂纹进行填充并使透明导电薄膜具有连续完整的结构从而表现出导电特性。沉积后进行退火处理以消减应力,退火温度控制在150℃~200℃之间,时间控制在15min~20min。
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