[发明专利]一种新型结构太阳电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201410447706.2 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104377253A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 金井升;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型结构太阳电池及其制作方法，包括正面导电电极、减反射膜层、n++发射极、p硅基底、p+背面电场、背场和背面电极，在所述减反射膜层上设有透明导电膜层。其步骤如下：选取p型晶体硅片，进行表面织构化；进行磷轻扩散形成n+层；进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃；在n+层上沉积减反射膜；在减反射膜上进行局部开膜；在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层；在背面印刷背面电极和背面场；经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触；在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 太阳电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型结构太阳电池，包括正面导电电极（1）、减反射膜层（3）、n++发射极（4）、p硅基底（5）、p+背面电场（6）、背场（7）和背面电极（8），其特征在于：在所述减反射膜层（3）上设有透明导电膜层（2）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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