[发明专利]一种清洗设备颗粒监控的方法有效
| 申请号： | 201410441448.7 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104201129B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗设备颗粒监控的方法，包括如下步骤步骤S1、提供一晶圆，并将所述晶圆划分为若干面积均等且间隔分布的第一区域和第二区域；步骤S2、于所述第一区域注入正电荷离子，并于所述第二区域注入负电荷离子；步骤S3、将离子注入后的晶圆浸入于酸槽药液中；步骤S4、取出浸入后的晶圆，并采用一缺陷检测设备进行扫描观察，以检测所述酸槽药液中的颗粒数量是否异常。本发明在进行以上步骤后，通过观察该晶圆表面的颗粒分布即可简单、高效、高灵敏度的检测药液中的颗粒的数量以及电性类型，从而分析出酸槽药液中颗粒物异常的原因，并采取有效的对应措施避免大量的药液产品受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 设备 颗粒 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗设备颗粒监控的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一晶圆，并将所述晶圆划分为若干面积均等的第一区域和第二区域；步骤S2、于所述第一区域注入正电荷离子，并于所述第二区域注入负电荷离子；步骤S3、将离子注入后的晶圆浸入于酸槽药液中；步骤S4、取出浸入后的晶圆，并采用一缺陷检测设备进行扫描观察，以检测所述酸槽药液中的颗粒数量是否异常，所述步骤S4中，在利用所述缺陷检测设备进行扫描观察时，根据第一区域和第二区域表面聚集的颗粒数量，来判断所述酸槽药液中的颗粒是否存在异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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