[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410440478.6 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104576736B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 今井清隆;金永权;前田茂伸;黄淳哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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