[发明专利]一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘有效
| 申请号： | 201410438531.9 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105369348B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 泷口治久;周宁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘，所述晶圆载盘的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上设置有用于放置晶圆的第一结构，在所述第二子表面上设置有第二结构，所述第二结构能够增大所述第二子表面的面积，使反应气体与晶圆载盘的第二子表面的反应速率常数等于反应气体与晶圆表面的反应速率常数。因而，通过本发明提供的晶圆载盘，能够保证靠近气体旋转方向前端的晶圆边缘上方的气体浓度与其它区域上方的气体浓度相等，从而能够保证晶圆整个表面上的反应速率均相等，进一步保证生长在晶圆整个表面上的晶体材料的厚度相同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mocvd 反应 系统 晶圆载盘 | ||
【主权项】：
一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘，其特征在于，所述晶圆载盘的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上设置有用于放置晶圆的第一结构，在所述第二子表面上设置有第二结构，所述第二结构能够增大所述第二子表面的面积，使反应气体与晶圆载盘的第二子表面的反应速率常数等于反应气体与晶圆表面的反应速率常数。
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