[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410438399.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448729B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干分立的鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部的侧壁；在所述鳍部表面形成防扩散层；形成所述防扩散层后，对所述鳍部进行防扩散离子注入；对所述鳍部进行防扩散离子注入之后，在对所述鳍部进行N型或P型掺杂离子注入。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体结构 离子 半导体衬底表面 防扩散层 防扩散 隔离层 表面形成 顶部表面 侧壁 衬底 分立 半导体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干分立的鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部的侧壁；在所述鳍部表面形成防扩散层，所述防扩散层在后续进行离子注入的过程中对注入离子起到散射作用，使得注入离子的注入方向偏离鳍部的晶格沟道方向；形成所述防扩散层后，对所述鳍部进行防扩散离子注入；对所述鳍部进行防扩散离子注入之后，在对所述鳍部进行N型或P型掺杂离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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