[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
申请号: | 201410437370.1 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN105448728B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 禹国宾 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供衬底,第一区域衬底表面形成有第一初始鳍部,第二区域衬底表面形成有第二初始鳍部,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部顶部表面晶面为(100),所述第一初始鳍部和第二初始鳍部侧壁表面晶面为(110);形成覆盖于第一初始鳍部顶部表面和侧壁表面的掩膜层;刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,形成具有第二高度的第二鳍部,且在刻蚀过程中,第二初始鳍部侧壁表面被表面活性剂所覆盖,在第二初始鳍部侧壁表面形成表面活性剂膜;去除表面活性剂膜以及掩膜层。本发明在形成具有不同高度的鳍部的同时,防止鳍部的宽度尺寸偏离预定目标,防止刻蚀工艺对鳍部宽度尺寸造成不良影响。 | ||
搜索关键词: | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供具有第一区域和第二区域的衬底,所述第一区域衬底表面形成有第一初始鳍部,所述第二区域衬底表面形成有第二初始鳍部,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部具有第一高度,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部顶部表面晶面为(100),所述第一初始鳍部和第二初始鳍部侧壁表面晶面为(110);形成覆盖于第一初始鳍部顶部表面和侧壁表面的掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,形成具有第二高度的第二鳍部,且在刻蚀过程中,第二初始鳍部侧壁表面被表面活性剂所覆盖,在第二初始鳍部侧壁表面形成表面活性剂膜,所述晶面(110)对表面活性剂的吸附能力大于晶面(100)对表面活性剂的吸附能力;采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,且湿法刻蚀的刻蚀液体中溶解有表面活性剂;所述湿法刻蚀工艺对晶面(100)的刻蚀速率大于对晶面(110)的刻蚀速率;去除所述表面活性剂膜以及掩膜层,第一初始鳍部为具有第一高度的第一鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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