[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410437370.1 申请日: 2014-08-29
公开(公告)号: CN105448728B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 禹国宾 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 应战;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供衬底,第一区域衬底表面形成有第一初始鳍部,第二区域衬底表面形成有第二初始鳍部,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部顶部表面晶面为(100),所述第一初始鳍部和第二初始鳍部侧壁表面晶面为(110);形成覆盖于第一初始鳍部顶部表面和侧壁表面的掩膜层;刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,形成具有第二高度的第二鳍部,且在刻蚀过程中,第二初始鳍部侧壁表面被表面活性剂所覆盖,在第二初始鳍部侧壁表面形成表面活性剂膜;去除表面活性剂膜以及掩膜层。本发明在形成具有不同高度的鳍部的同时,防止鳍部的宽度尺寸偏离预定目标,防止刻蚀工艺对鳍部宽度尺寸造成不良影响。
搜索关键词: 场效应 形成 方法
【主权项】:
1.一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供具有第一区域和第二区域的衬底,所述第一区域衬底表面形成有第一初始鳍部,所述第二区域衬底表面形成有第二初始鳍部,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部具有第一高度,所述第一初始鳍部和第二初始鳍部顶部表面晶面为(100),所述第一初始鳍部和第二初始鳍部侧壁表面晶面为(110);形成覆盖于第一初始鳍部顶部表面和侧壁表面的掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,形成具有第二高度的第二鳍部,且在刻蚀过程中,第二初始鳍部侧壁表面被表面活性剂所覆盖,在第二初始鳍部侧壁表面形成表面活性剂膜,所述晶面(110)对表面活性剂的吸附能力大于晶面(100)对表面活性剂的吸附能力;采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的第二初始鳍部,且湿法刻蚀的刻蚀液体中溶解有表面活性剂;所述湿法刻蚀工艺对晶面(100)的刻蚀速率大于对晶面(110)的刻蚀速率;去除所述表面活性剂膜以及掩膜层,第一初始鳍部为具有第一高度的第一鳍部。
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