[发明专利]闪存器件的编程方法有效
| 申请号： | 201410427436.9 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183273B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶;王伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源端和漏端，在所述源端和漏端之间间隙的上方设置有控制栅和浮栅，闪存器件的编程方法包括：在进行编程操作时，分别对漏端、浮栅、控制栅以及半导体衬底施加电压，其中，所述漏端及浮栅施加电压范围均为2V～3V，控制栅施加电压范围为0.7V～1.0V，所述半导体衬底施加电压范围为1V～1.5V。本发明提供的方法可避免因漏端施加高电压而出现沟道穿通效应，有效缩短分列栅浮栅闪存的关键尺寸，增加了以分列栅浮栅闪存为单元器件的NOR型或NAND型闪存阵列的单元密度，进而增加了闪存的存储容量和密度，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源端和漏端，在所述源端和漏端之间间隙的上方设置有控制栅和浮栅，所述浮栅与所述源端和漏端之间隔有氧化层；其特征在于，所述闪存器件的编程方法包括：在进行编程操作时，分别对漏端、浮栅、控制栅以及半导体衬底施加电压，其中，所述漏端及浮栅施加电压范围均为2V～3V，控制栅施加电压范围为0.7V～1.0V，所述半导体衬底施加电压范围为1V～1.5V。
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