[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法有效
| 申请号： | 201410427369.0 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104157602B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;康俊龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;林彦之<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括依次进行：在半导体衬底中形成沟槽、在沟槽中形成线形氧化层、在沟槽内填充隔离介质层和高温退火，其中，形成线形氧化层的方法包括：在沟槽的内表面沉积氮化层；氧化氮化层，在沟槽的内表面形成氮氧化层。沉积了氮化层之后再进行氧化，可以圆滑沟槽表面和缓解沟槽内的应力，还可以避免直接对沟槽侧壁进行氧化对沟槽侧壁材料的严重损耗，进而增加了后续退火过程中含氧基团或形成的H2O向半导体衬底中的扩散的难度；氮氧化层可以作为后续沟槽填充的过渡性材料，还可以有效阻止后续退火过程中含氧基团或形成的H2O的扩散到沟槽侧壁的衬底，避免对有源区边界的氧化，从而减少有源区临界尺寸的缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括依次进行：在半导体衬底中形成沟槽、在沟槽中形成线形氧化层、在沟槽内填充隔离介质层和高温退火，其特征在于，所述形成线形氧化层的方法包括：/n步骤S41：在所述沟槽的内表面沉积氮化层；/n步骤S42：氧化所述氮化层，在所述沟槽的内表面形成氮氧化层，所述氮氧化层包括被氧化的所述氮化层和所述沟槽的与所述氮化层接触的表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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