[发明专利]一种降低驱动电压的外延片，生长方法及LED结构有效
| 申请号： | 201410426072.2 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104157764A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 苏军 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了降低驱动电压的外延片，生长方法及LED结构，该外延片，其结构从下至上依次为：基板，GaN缓冲层，U型GaN层，n型GaN层，MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层，所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；所述的n型GaN层包括：掺杂Si的第一GaN层，在所述的第一GaN层上是掺杂Si的第二GaN层。本发明降低了驱动电压，将不掺杂的GaN层掺入Si或In元素，改变LED整体的电流扩展效果，使得N层、P层的阻值得到下降，从而降低驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 驱动 电压 外延 生长 方法 led 结构 | ||
【主权项】：
一种降低驱动电压的外延片，其结构从下至上依次为：基板，GaN缓冲层，U型GaN层，n型GaN层，MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层，其特征在于：所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；所述的n型GaN层包括：掺杂Si的第一GaN层，在所述的第一GaN层上是掺杂Si的第二GaN层。
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