[发明专利]一种降低驱动电压的外延片，生长方法及LED结构

权利要求书

1.一种降低驱动电压的外延片，其结构从下至上依次为：基板，GaN缓冲层，U型GaN层，n型GaN层，MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层，其特征在于：

所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；

所述的n型GaN层包括：掺杂Si的第一GaN层，在所述的第一GaN层上是掺杂Si的第二GaN层。

2.根据权利要求1所述的降低驱动电压的外延片，其特征在于：所述的U型GaN层的厚度为1.5～1.6μm。

3.根据权利要求2所述的降低驱动电压的外延片，其特征在于：所述的第一GaN层还掺杂In。

4.根据权利要求1、2或3所述的降低驱动电压的外延片，其特征在于：所述的第二GaN层还掺杂In。

5.一种降低驱动电压的外延片的生长方法，依次包括处理基板，GaN缓冲层的步骤，其特征在于，还包括：

在所述的GaN缓冲层上生长U型GaN层，所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；

保持温度不变，在U型GaN层上生长掺杂Si的第一GaN层，然后，在所述的第一GaN层上生长掺杂Si的第二GaN层；

在所述的第二GaN层上依次生长MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层。

6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于：

所述的第一GaN层掺杂Si的浓度为5E+18～6E+18atom/cm³；

所述的第二GaN层掺杂Si的浓度为8E+18～1E+19atom/cm³。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于：

所述的第一GaN层还掺杂In，掺杂浓度为1E+18～5E+18atom/cm³。

8.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于：

所述的第一GaN层还掺杂In，掺杂浓度为1E+18～5E+18atom/cm³。

9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于：

所述的U型GaN层的生长温度在1100～1200℃，生长厚度为1.5～1.6μm；

所述的第一GaN层的生长厚度为2.5～3.0μm；

所述的第二GaN层的生长厚度为4～5μm。

10.一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为权利要求1至3中任何一项所述的外延片。