[发明专利]掩模版及其形成方法有效
申请号: | 201410425884.5 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN105446072B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 蔡博修;黄怡 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 万铁占;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种掩模版及其形成方法,其中掩模版的形成方法包括:提供基板,基板包括透光板和非透光膜;在非透光膜中写入布局图案,布局图案包括密集型图案和孤立型图案,密集型图案包括平行排列的若干第一条形线,孤立型图案包括平行排列的若干第二条形线;在相邻两第二条形线之间具有至少一个亚分辨率辅助图案,亚分辨率辅助图案包括条形图案、位于条形图案沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部,条形图案与第二条形线平行;使用清洗剂清洗写入过程中产生的杂质;对掩模版进行甩干以去除残留清洗剂。凸部增强了整个亚分辨率辅助图案在透光板上的附着力,在甩干清洗剂的过程中,这降低了亚分辨率辅助图案倾斜甚至从透光板上脱落的可能性。 | ||
搜索关键词: | 辅助图案 条形线 掩模版 分辨率 清洗剂 条形图案 透光板 图案 布局图案 非透光 孤立型 基板 甩干 凸部 附着力 间隔分布 写入过程 侧壁 去除 平行 清洗 写入 残留 | ||
【主权项】:
1.一种掩模版的形成方法,其特征在于,包括:提供基板,所述基板包括透光板、位于所述透光板上的非透光膜;在所述非透光膜中写入布局图案以形成掩模版,所述布局图案包括密集型图案和孤立型图案,所述密集型图案包括平行排列的若干第一条形线,所述孤立型图案包括平行排列的若干第二条形线;在相邻两第二条形线之间具有至少一个亚分辨率辅助图案,所述亚分辨率辅助图案包括条形图案、位于所述条形图案沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部,所述条形图案与第二条形线平行;当相邻两第二条形线之间具有至少两个亚分辨率辅助图案时,在相邻两亚分辨率辅助图案中,沿所述第二条形线的宽度方向,其中一亚分辨率辅助图案的凸部与另一亚分辨率辅助图案相邻两凸部之间的条形图案部分相对;使用清洗剂清洗所述写入过程产生的杂质;对所述掩模版进行甩干以去除残留的清洗剂。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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