[发明专利]压接式IGBT的正面金属工艺

摘要

本发明提供一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤在层间介质层上淀积第一正面金属层；对第一正面金属层作湿法刻蚀，在层间介质层上形成上宽下窄的第一凹槽；在当前结构的所有表面上淀积阻挡层，并将需要形成厚金属的区域处的阻挡层窗口打开；对窗口打开后暴露出的第一正面金属层表面作淀积前的预处理，去除掉氧化层；在当前结构的所有表面上淀积第二正面金属层；对第二正面金属层作湿法刻蚀，在其中形成侧壁倾斜、导向第一凹槽的上宽下窄的第二凹槽；对第二凹槽再作干法刻蚀，刻穿第二正面金属层并清空第一凹槽中的金属；第一凹槽上缘处包覆的阻挡层上方形成有其底部为一定宽度的保护斜坡。本发明实现了不同布线区域的正面金属厚薄两种厚度。

主权项

一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤：A.在完成所述压接式IGBT的前道工艺后，在层间介质层(101)上淀积第一正面金属层(102)，所述第一正面金属层(102)具有第一厚度；所述层间介质层(101)上开有一个或多个接触通孔(103)，所述第一正面金属层(102)的金属也向下填入所述接触通孔(103)中；B.在所述第一正面金属层(102)上旋涂第一光刻胶层(102a)作为掩模层，光刻后对所述第一正面金属层(102)进行湿法刻蚀，在所述层间介质层(101)上形成上宽下窄的一个或多个第一凹槽(104)；C.在当前结构的所有表面上淀积阻挡层(105)，并将后续需要形成厚金属的区域处的所述阻挡层(105)窗口打开，所述第一凹槽(104)的底部、侧壁和上缘仍包覆有所述阻挡层(105)；D.对窗口打开后暴露出的所述第一正面金属层(102)表面进行淀积前的预处理，去除掉所述第一正面金属层(102)表面上的氧化层；E.在当前结构的所有表面上淀积第二正面金属层(106)，所述第二正面金属层(106)具有第二厚度，所述第二正面金属层(106)的金属也向下填入所述第一凹槽(104)和所述窗口中；F.在所述第二正面金属层(106)上旋涂第二光刻胶层(106a)作为掩模层，光刻后对所述第二正面金属层(106)进行湿法刻蚀，在所述第二正面金属层(106)中形成侧壁倾斜、导向所述第一凹槽(104)的上宽下窄的一个或多个第二凹槽(108)，所述第二凹槽(108)的底部停止于所述第二正面金属层(106)中；G.继续以所述第二光刻胶层(106a)作为掩模层，对所述第二凹槽(108)再进行干法刻蚀，直至刻穿所述第二正面金属层(106)并清空所述第一凹槽(104)中的金属；所述第一凹槽(104)上缘处包覆的所述阻挡层(105)上方形成有其底部具有一定宽度的保护斜坡(109)。