[发明专利]一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法有效
| 申请号： | 201410415714.9 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105448690B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张波;侯春雷;孟骁然;狄增峰;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 石墨 插入 外延 生长 金属 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜，采用化学气相沉积的方法在所述半导体衬底上形成石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜为单层、双层或者多层；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，以使得材料整体的反应较为平衡，形成金属/半导体材料层，且步骤3)的退火工艺在真空或者惰性气氛中进行，退火温度范围为100～1000℃，退火时间为1～50秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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