[发明专利]一种基于PVD的传感元与金属基体的一体化集成方法无效

专利信息
申请号: 201410413314.4 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104233185A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 崔荣洪;何宇廷;伍黎明;杜金强;侯波 申请(专利权)人: 中国人民解放军空军工程大学
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/16;C23C14/22
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 代理人: 郭官厚
地址: 710071 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于PVD的传感元与金属基体的一体化集成方法,其包括以下步骤:1将金属基底放入PVD镀膜仪腔室,抽真空至小于6×10-3Pa;2向PVD镀膜仪腔室中通入惰性气体,至PVD镀膜仪腔室的真空度在0.3~1.3Pa为止;3对金属基体加负偏压100~300V,对金属基体进行惰性气体轰击清洗5~20min;4对金属基体加负偏压60~150V,以金属为靶材,启动弧电源,起弧并调整弧电流至50~80A,镀膜30~80min,在金属基体表面形成传感元膜层;5随炉冷至100℃以下,取出金属基体即可。通过该方法集成的PVD传感元结合强度高、耐磨损、耐腐蚀,能适应金属基体的工作环境,与金属基体同寿。
搜索关键词: 一种 基于 pvd 传感 金属 基体 一体化 集成 方法
【主权项】:
一种基于PVD的传感元与金属基体的一体化集成方法,包括以下步骤:(1)将金属基底放入PVD镀膜仪的腔室,抽真空至小于6×10‑3Pa;(2)通过针阀向所述PVD镀膜仪的腔室中通入惰性气体,至所述PVD镀膜仪的腔室的真空度在0.3~1.3Pa为止;(3)对所述金属基体加负偏压100~300V,对所述金属基体进行惰性气体轰击清洗5~20min;(4)对步骤(3)所述金属基体加负偏压60~150V,以传感元材质金属为靶材,启动弧电源,起弧并调整弧电流至50~80A,进行PVD镀膜30~80min,在步骤(3)所述金属基体表面形成传感元膜层;(5)随炉冷至100℃以下,取出步骤(4)所述金属基体即可。
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