[发明专利]一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路无效
| 申请号： | 201410411157.3 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104122928A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吕坚;阙隆成;牛润梅;吕静;周云 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了提供了一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路，包括：运算放大器A1；第一晶体管Q1，连接到运算放大器A1的同相输入端；第二晶体管Q2，连接到运算放大器A1的反相输入端；温度补偿电路，一端连接到运算放大器A1的反相输入端，另一端连接到运算放大器A1的输出端并且通过第一电阻R连接到运算放大器A1的同相输入端；温度补偿电路在至少两个温度处对带隙基准电压产生电路进行补偿，使得带隙基准电压产生电路在至少两个温度处输出零温漂的带隙基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 系数 基准 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路，其特征在于，包括：运算放大器（A1）；第一晶体管（Q1），所述第一晶体管（Q1）连接到所述运算放大器（A1）的同相输入端；第二晶体管（Q2），所述第二晶体管（Q2）连接到所述运算放大器（A1）的反相输入端；温度补偿电路，所述温度补偿电路的一端连接到所述运算放大器（A1）的所述反相输入端，另一端连接到所述运算放大器（A1）的输出端并且通过第一电阻（R）连接到所述运算放大器（A1）的所述同相输入端；其中所述温度补偿电路在至少两个温度处对所述带隙基准电压产生电路进行补偿，使得所述带隙基准电压产生电路在所述至少两个温度处输出零温漂的带隙基准电压。
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