[发明专利]一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路

权利要求书

1.一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路，其特征在于，包括：

运算放大器（A1）；

第一晶体管（Q1），所述第一晶体管（Q1）连接到所述运算放大器（A1）的同相输入端；

第二晶体管（Q2），所述第二晶体管（Q2）连接到所述运算放大器（A1）的反相输入端；

温度补偿电路，所述温度补偿电路的一端连接到所述运算放大器（A1）的所述反相输入端，另一端连接到所述运算放大器（A1）的输出端并且通过第一电阻（R）连接到所述运算放大器（A1）的所述同相输入端；

其中所述温度补偿电路在至少两个温度处对所述带隙基准电压产生电路进行补偿，使得所述带隙基准电压产生电路在所述至少两个温度处输出零温漂的带隙基准电压。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：所述温度补偿电路包括至少第一温度补偿电阻和第二温度补偿电阻，所述第一温度补偿电阻具有第一温度系数，所述第二温度补偿电阻具有第二温度系数，所述第一温度补偿电阻和所述第二温度补偿电阻串联，并且所述第一温度系数和所述第二温度系数不相同。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于：所述第一晶体管（Q1）的发射极接地，所述第一晶体管（Q1）的集电极连接到所述第一晶体管（Q1）的基极并且连接到所述运算放大器（A1）的所述同相输入端。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于：所述第二晶体管（Q2）的发射极接地，所述第二晶体管（Q2）的集电极连接到所述第二晶体管（Q2）的基极并且通过第二电阻（R0）连接到所述运算放大器（A1）的所述反相输入端。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述温度补偿电路满足：

，

其中R₀₀为第零电阻的阻值，R₀₁为第一温度补偿电阻的阻值，R₀₂为第二温度补偿电阻的阻值，R_0N为第N温度补偿电阻的阻值，α₁为第一温度补偿电阻的温度系数，α₂为第二温度补偿电阻的温度系数，α_N为第N温度补偿电阻的温度系数，T为绝对温度，V_T为热电压，n为所述第二晶体管（Q2）与所述第一晶体管（Q1）的面积之比，为禁带宽度，m为测量迁移率时的电场的函数，k为玻尔兹曼常数，q为单位电荷所带电荷量，V_BE2为所述第二晶体管（Q2）的发射结电压，V_out为所述带隙基准电压产生电路的输出电压，N为大于或者等于2的自然数。