[发明专利]一种高致密铬钨合金靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201410404763.2 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105364074A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张路长;张凤戈;郝权;姜海;唐培新;何向晖;赵雷;缪磊 | 申请（专利权）人： | 安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/15 | 分类号： | B22F3/15;C22C27/06;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 刘春成;温泉 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于粉末冶金材料制备技术领域，提供一种高致密铬钨合金靶材的制备方法。该铬钨合金靶材包括以下原子百分比的成分：铬80～99％，钨1～20％。该铬钨合金靶材的制备方法为：将钨粉还原后，和铬粉通过预合金粉末制备、装包套、脱气、热等静压、机加工等处理，获得所述铬钨合金靶材。本发明的铬钨合金靶材密度高(相对密度不小于99％)、组织均匀，晶粒细小(不大于50μm)；通过该靶材可用于电极触头材料等镀膜领域，制备具有高硬度、高耐电压强度、低截流值、可替代纯钨的薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铬钨合金靶材，其特征在于，包括以下原子百分比的成分：铬80～99％，钨1～20％。
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