[发明专利]一种结构可控碲单质纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410403628.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104152851A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐临超;关雷;高尧;赵岚;李瑞平;赵飞 | 申请（专利权）人： | 浙江工贸职业技术学院 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C01B19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种结构可控碲单质纳米材料的制备方法，采用激光激发，使碲元素从气体氛围内的金属碲化物靶材溅射而出，成为悬浮碲离子，然后在电场力及重力作用下，在与正极相连碲纳米材料沉积靶上，沉积获得碲纳米材料阵列。通过对入射激光能量、电场强度和/或沉积靶温度的控制，实现碲单质纳米材料的阵列形貌控制。本发明克服了当前使用的方法制的碲单质纳米材料阵列单一且不可控的缺点，具有较好的市场推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 可控 单质 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结构可控碲单质纳米材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）采用激光光源所发出的激光入射金属碲化物靶材，利用激光激发溅射原理，使碲元素从气体氛围内的金属碲化物靶材溅射而出，成为悬浮碲离子；（2）正极与碲纳米材料沉积靶上，负极与杂质收集靶相连，将碲纳米材料沉积靶和杂质收集靶之间所产生的电场力以及重力作用下，将悬浮碲离子沉积于碲纳米材料沉积靶上，沉积获得碲纳米材料阵列；通过对所述的步骤（1）和步骤（2）中的入射激光能量、电场强度和/或沉积靶带电量和/或温度的控制，实现碲单质纳米材料的阵列形貌控制。
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