[发明专利]一种结构可控碲单质纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种结构可控碲单质纳米材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）采用激光光源所发出的激光入射金属碲化物靶材，利用激光激发溅射原理，使碲元素从气体氛围内的金属碲化物靶材溅射而出，成为悬浮碲离子；

（2）正极与碲纳米材料沉积靶上，负极与杂质收集靶相连，将碲纳米材料沉积靶和杂质收集靶之间所产生的电场力以及重力作用下，将悬浮碲离子沉积于碲纳米材料沉积靶上，沉积获得碲纳米材料阵列；

通过对所述的步骤（1）和步骤（2）中的入射激光能量、电场强度和/或沉积靶带电量和/或温度的控制，实现碲单质纳米材料的阵列形貌控制。

2.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的激光光源为气体、固体、液体激发的脉冲可调的激光光源，且所述的激光光源的能量为10W~1000W。

3.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的步骤(1)中通过激光入射与金属碲化物靶材角度为5~90°，所述的步骤（1）中激光激发工作时间为1~1000s。

4.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的金属碲化物靶材为任意金属碲化物制成的板条或粉末。

5.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的步骤（2）中工作氛围电场为直流电场，且电场强度范围为：100~1000N/C。

6.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的碲纳米材料沉积靶的基片材料为硅片，所述的硅片前处理是经TruMicro7050激光设备进行表面清洗。

7.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的步骤（1）和步骤（2）工作氛围为氩气、氦气或其任意比例混合的气体。

8.按照权利要求1所述，其特征在于：所述的金属碲化物靶材前处理方式如下：

常温条件下，将金属碲化物板或粉末置于无水乙醇中，浸渍5~30min，取出，于60~150℃环境下干燥即可。

9.按照权利要求1所述，其特征在于：碲纳米材料沉积靶的温度可控，其控制范围为：0~300℃。

10.按照权利要求1所述，其特征在于：碲纳米材料沉积靶及杂质收集板的带电量通过外加电压进行控制。