[发明专利]利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺无效
| 申请号： | 201410399282.7 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104143591A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杜正兴;陈烈军;丁志强 | 申请（专利权）人： | 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;张涛 |
| 地址： | 214181 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其包括如下步骤：a、提供所需的晶硅电池片，所述晶硅电池片的正面具有阻挡保护层；b、将上述晶硅电池片的背面放置浸泡在四甲基氢氧化铵溶液中，以对晶硅电池片的背面进行所需的去结抛光，并通过阻挡保护层对晶硅电池片的正面进行保护；四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2%~5%，温度为68℃~72℃，晶硅电池片浸泡在四甲基氢氧化铵溶液的时间为180s~250s；c、利用等离子水对晶硅电池片进行清洗。本发明工艺步骤简单，能大大降低太阳能电池的生产成本，提高制备太阳能电池片的开路电压，减少太阳能电池片的边缘缺陷，提高太阳能电池的转换效率，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 甲基 氢氧化铵 溶液 太阳能电池 背面 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
一种利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述太阳能电池背面抛光工艺包括如下步骤：（a）、提供所需的晶硅电池片，所述晶硅电池片的正面具有阻挡保护层；（b）、将上述晶硅电池片的背面放置浸泡在四甲基氢氧化铵溶液中，以对晶硅电池片的背面进行所需的去结抛光，并通过阻挡保护层对晶硅电池片的正面进行保护；四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2%~5%，温度为68℃~72℃，晶硅电池片浸泡在四甲基氢氧化铵溶液的时间为180s~250s；（c）、利用等离子水对晶硅电池片进行清洗。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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