[发明专利]一种防静电保护电路在审

专利信息
申请号: 201410395756.0 申请日: 2014-08-12
公开(公告)号: CN104269399A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 朱伟民;邓晓军;聂卫东;朱光荣 申请(专利权)人: 无锡市晶源微电子有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 杨楠
地址: 214028 江苏省无锡市国家*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种防静电保护电路,该电路共分为三个部分:第一部分为电阻和电容耦合电路,它由一个电阻和一个电容串联而成;第二部分为CMOS反相器,它由一个PMOS管和一个NMOS管串联而成;第三部分为主放电管,它是一个多指条结构的NMOS管。三个部分分别接在电源VDD和地VSS之间,再通过连线将三部分互相连接。本发明提高了静电保护电路对ESD脉冲的响应时间,有效保护了集成电路内部的元器件,另外,提高了电路的抗静电能力和电路的可靠性。
搜索关键词: 一种 静电 保护 电路
【主权项】:
一种防静电保护电路,其特征在于:包括由一个电阻和一个电容串联而成的RC积分电路、一个PMOS管、第一~第二NMOS管、电源输入端以及接地端,所述PMOS管的源极与背栅短接,第一NMOS管的源极与背栅短接,第二NMOS管的源极与背栅短接,所述电阻和电容的公共端、PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极共连接,所述PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极共连接,所述电阻的另一端、PMOS管的源极、第二NMOS管的漏极以及电源输入端共连接,所述电容的另一端、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极以及接地端共连接。
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