[发明专利]一种防静电保护电路在审
申请号: | 201410395756.0 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN104269399A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 朱伟民;邓晓军;聂卫东;朱光荣 | 申请(专利权)人: | 无锡市晶源微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 杨楠 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国家*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种防静电保护电路,该电路共分为三个部分:第一部分为电阻和电容耦合电路,它由一个电阻和一个电容串联而成;第二部分为CMOS反相器,它由一个PMOS管和一个NMOS管串联而成;第三部分为主放电管,它是一个多指条结构的NMOS管。三个部分分别接在电源VDD和地VSS之间,再通过连线将三部分互相连接。本发明提高了静电保护电路对ESD脉冲的响应时间,有效保护了集成电路内部的元器件,另外,提高了电路的抗静电能力和电路的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种防静电保护电路,其特征在于:包括由一个电阻和一个电容串联而成的RC积分电路、一个PMOS管、第一~第二NMOS管、电源输入端以及接地端,所述PMOS管的源极与背栅短接,第一NMOS管的源极与背栅短接,第二NMOS管的源极与背栅短接,所述电阻和电容的公共端、PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极共连接,所述PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极共连接,所述电阻的另一端、PMOS管的源极、第二NMOS管的漏极以及电源输入端共连接,所述电容的另一端、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极以及接地端共连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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