[发明专利]MOS晶体管及用以形成外延结构的半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201410393840.9 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336783A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吕曼绫;洪裕祥;张仲甫;吴彦良;沈文骏;刘家荣;傅思逸;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MOS晶体管以及用以形成外延结构的半导体制作工艺，该MOS晶体管包含有一栅极结构、一外延间隙壁以及一外延结构。栅极结构设置于一基底上。外延间隙壁，设置于栅极结构侧边的基底上，其中外延间隙壁包含硅及氮，且氮/硅比大于1.3。外延结构设置于外延间隙壁侧边的基底中。再者，本发明还提供一种半导体制作工艺包含有下述步骤，用以形成一外延结构。首先，形成一栅极结构于一基底上。接着，形成一外延间隙壁于栅极结构侧边的基底上，用以定义一外延结构的位置，其中外延间隙壁包含硅及氮，且氮/硅比大于1.3。然后，形成外延结构于外延间隙壁侧边的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 用以 形成 外延 结构 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包含有：栅极结构，设置于一基底上；外延间隙壁，设置于该栅极结构侧边的该基底上，其中该外延间隙壁包含硅及氮，且氮/硅比大于1.3；以及外延结构，设置于该外延间隙壁侧边的该基底中。
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