[发明专利]一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法在审
| 申请号： | 201410392246.8 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104156526A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王伟;李泠;徐光伟;王龙;陆丛研;姬濯宇;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法，该方法包括：在共面型薄膜晶体管沟道区和源漏电极之间建立传输线电阻网络模型；在该传输线电阻网络模型中，传输线电阻网络被分为两段，其中源电极或漏电极上方部分作为第I段，源电极或漏电极侧边部分作为第II段；计算第I段传输线电阻网络的等效电阻，以此作为第II段传输线电阻网络的边界条件，然后计算两段传输线电阻网络的总体等效电阻，作为共面型薄膜晶体管源漏电极与沟道区之间接触电阻。利用本发明，可以精确拟合计算薄膜晶体管的接触电阻，适于薄膜晶体管的模型化研究。本发明理论合理，结果精确，简单易行，有利于建立完整的薄膜晶体管模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 共面型 薄膜晶体管 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法，其特征在于，该方法包括：在共面型薄膜晶体管沟道区和源漏电极之间建立传输线电阻网络模型；在该传输线电阻网络模型中，传输线电阻网络被分为两段，其中源电极或漏电极上方部分作为第I段，源电极或漏电极侧边部分作为第II段；计算第I段传输线电阻网络的等效电阻，以此作为第II段传输线电阻网络的边界条件，然后计算两段传输线电阻网络的总体等效电阻，作为共面型薄膜晶体管源漏电极与沟道区之间接触电阻。
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