[发明专利]拉制C轴蓝宝石单晶长晶炉及方法有效
申请号: | 201410387277.4 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN105401211B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请(专利权)人: | 上海超硅半导体有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20 |
代理公司: | 上海天协和诚知识产权代理事务所31216 | 代理人: | 沈国良 |
地址: | 201604 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种拉制C轴蓝宝石单晶长晶炉及方法,本长晶炉的真空炉体上部设有排气口,籽晶杆自真空炉体顶伸入真空炉体内,钨坩埚通过支撑块设于真空炉体内;三个加热件设于钨坩埚底部、周面下部和周面上部,钨坩埚底部凸起。本方法首先进行热场组装并真空炉体抽真空,通过加热件对钨坩埚加热,使氧化铝块状原料完全融化;执行引晶程序,通过缓慢提拉使得C轴蓝宝石籽晶表面遇冷开始生长新的晶体;执行放肩及等径程序,控制晶体的肩锥角并缓慢扩大至目标长度;执行收尾、降温退火和出炉程序,待真空炉体完全冷却后取出晶体。本长晶炉及方法实现高质量C轴蓝宝石晶体生长,克服小角晶界问题,降低位错密度,提高了材料的利用率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 拉制 蓝宝石 单晶长晶炉 方法 | ||
【主权项】:
一种拉制C轴蓝宝石单晶长晶炉,包括真空炉体、保温层、钨坩埚、籽晶杆和籽晶接头,所述真空炉体上部设有排气口,所述保温层设于所述真空炉体壁,所述籽晶接头设于所述籽晶杆底端,所述籽晶杆自所述真空炉体顶伸入真空炉体内,所述钨坩埚通过支撑块设于所述真空炉体内,其特征在于:还包括第一加热件、第二加热件和第三加热件,所述第一加热件设于所述钨坩埚底部,所述第二加热件设于所述钨坩埚周面下部,所述第三加热件设于所述钨坩埚周面上部,所述钨坩埚底部向埚内凸起,所述钨坩埚底部凸起顶端为尖端,所述钨坩埚底部凸起顶端为尖端时所述钨坩埚底部形成下沉的弧形槽或倾斜的弧形槽。
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