[发明专利]功率晶体管

摘要

公开了一种功率晶体管。功率晶体管包括许多晶体管单元。每个晶体管单元包括源极区、漏极区、本体区和栅极电极。每个源极区被布置在半导体本体的第一半导体翅片中。每个漏极区被至少部分地布置在半导体本体的第二半导体翅片中。第二半导体翅片沿半导体本体的第一水平方向与第一半导体翅片间隔开。每个栅极电极被布置在与第一半导体翅片相邻的沟槽中，与本体区相邻，并且通过栅极电介质与本体区介电绝缘。第一半导体翅片和第二半导体翅片的每一个具有在第一水平方向上的宽度和在第二水平方向上的长度，其中所述长度大于所述宽度。

主权项

一种功率晶体管，包括：半导体本体，包括沿所述半导体本体的第一横向方向间隔开的多个半导体翅片，和沿所述半导体本体的竖向方向邻接半导体翅片的半导体层，其中所述多个半导体翅片包括第一组第一半导体翅片和第二组第二半导体翅片；多个源极区，其中每个源极区至少部分地布置在第一组的一个第一半导体翅片中；多个漏极区，其中每个漏极区至少部分地布置在第二组的一个第二半导体翅片中；多个本体区，其中每个本体区被布置在所述多个源极区中的一个和所述多个漏极区中的一个之间；多个栅极电极，其中每个栅极电极被布置在与多个第一半导体翅片中的一个相邻的对应沟槽中，与所述多个本体区中的一个相邻，并且通过栅极电介质与所述多个本体区中的一个介电绝缘；与源极区中的每一个电耦接的源极节点；与漏极区中的每一个电耦接的漏极节点；和与栅极电极中的每一个电耦接的栅极节点。