[发明专利]功率晶体管

权利要求书

1.一种功率晶体管，包括：

半导体本体，包括沿所述半导体本体的第一横向方向间隔开的多个半导体翅片，和沿所述半导体本体的竖向方向邻接半导体翅片的半导体层，其中所述多个半导体翅片包括第一组第一半导体翅片和第二组第二半导体翅片；

多个源极区，其中每个源极区至少部分地布置在第一组的一个第一半导体翅片中；

多个漏极区，其中每个漏极区至少部分地布置在第二组的一个第二半导体翅片中；

多个本体区，其中每个本体区被布置在所述多个源极区中的一个和所述多个漏极区中的一个之间；

多个栅极电极，其中每个栅极电极被布置在与多个第一半导体翅片中的一个相邻的对应沟槽中，与所述多个本体区中的一个相邻，并且通过栅极电介质与所述多个本体区中的一个介电绝缘；

与源极区中的每一个电耦接的源极节点；

与漏极区中的每一个电耦接的漏极节点；和

与栅极电极中的每一个电耦接的栅极节点。

2.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中所述多个本体区中的每一个被布置在所述半导体层中。

3.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中所述多个本体区中的每一个被布置在所述多个第一半导体翅片中的一个中。

4.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中漏极区中的至少一个包括与漏极电极耦接的第一部分，和与所述第一部分相比被更低地掺杂并且邻接所述多个本体区中的一个的第二部分。

5.按照权利要求4所述的功率晶体管，其中所述第一部分和所述第二部分具有相同的掺杂类型。

6.按照权利要求4所述的功率晶体管，其中所述第一部分具有和所述第二部分的掺杂类型互补的掺杂类型。

7.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中源极区中的至少一个包括与源极电极耦接的第一部分，和邻接所述多个本体区中的一个的第二部分。

8.按照权利要求7所述的功率晶体管，其中源极区的所述第二部分包括单晶半导体材料，并且其中源极区的所述第一部分包括选自由以下构成的组的材料：

与源极区的所述第二部分相比被更高地掺杂的单晶半导体材料；

与源极区的所述第二部分相比被更高地掺杂的多晶半导体材料；

金属合金；和

金属半导体化合物。

9.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中所述多个本体区具有与所述多个源极区的掺杂类型互补的掺杂类型，和与所述多个源极区的掺杂类型对应的掺杂类型中的一个。

10.按照权利要求1所述的功率晶体管，

其中所述多个半导体翅片的每一个包括在所述半导体本体的第一水平方向上的宽度，和在基本上垂直于第一方向的第二水平方向上的长度；和

其中所述长度大于所述宽度。

11.按照权利要求10所述的功率晶体管，其中第二组的第二半导体翅片的宽度大于第一组的第一半导体翅片的宽度。

12.按照权利要求11所述的功率晶体管，其中长度和宽度之间的比至少为100:1。

13.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中所述多个半导体翅片的数目至少为100。

14.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中所述多个漏极区中的每一个被部分地布置在所述半导体层中。

15.按照权利要求1所述的功率晶体管，其中沿第一水平方向，交替地布置第一组的第一半导体翅片和第二组的第二半导体翅片。

16.一种功率晶体管，包括多个晶体管单元，其中所述多个晶体管单元中的每一个包括：

布置在半导体本体的第一半导体翅片中的源极区；

至少部分地布置在所述半导体本体的第二半导体翅片中的漏极区，其中所述第二半导体翅片被沿着所述半导体本体的第一水平方向与所述第一半导体翅片间隔开；

布置在所述源极区和所述漏极区之间的本体区；和

栅极电极，其中所述栅极电极被布置在与所述第一半导体翅片相邻的沟槽中，与所述本体区相邻，并且通过栅极电介质与所述本体区介电绝缘；

其中所述第一半导体翅片和所述第二半导体翅片中的每一个具有在所述第一水平方向上的宽度，和在第二水平方向上的长度，其中所述长度大于所述宽度。