[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构的形成方法。包括在半导体衬底上形成介质层后，在所述介质层上形成氧化硅掩模层，用以形成硬掩模。所述氧化硅掩模层的形成步骤包括：先在介质层上形成四乙基原硅酸盐层，之后，对所述四乙基原硅酸盐层进行氧等离子体处理，使氧等离子体与所述四乙基原硅酸盐层反应，以形成氧化硅掩模层。通过上述工艺形成的氧化硅层中的碳含量明显降低，从而在后续介质层形成通孔后，湿法清洗通孔的过程中，缓解基于碳原子而造成氧化硅掩模层的消耗速率明显小于介质层的缺陷，有效改善形成于所述硬掩模内的开口以及介质层内的通孔侧壁整体的平整度，进而提高后续向所述通孔内填充的导电材料的填充性能，以提高形成的导电插塞的性能。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成四乙基原硅酸盐层；对所述四乙基原硅酸盐层进行氧等离子体处理，所述氧等离子体与所述四乙基原硅酸盐层反应形成氧化硅掩模层；在所述氧化硅掩模层上形成金属掩模层；刻蚀所述金属掩模层和氧化硅掩模层，形成硬掩模；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；在所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞。