[发明专利]一种Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法有效
申请号: | 201410373711.3 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104201408A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 赵海雷;方梦雅;杨天让;杜志鸿;陈宁 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01M8/10 | 分类号: | H01M8/10 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了本发明的目的旨在提供一种制备工艺简便、成本低廉,同时能够有效提高硅基磷灰石电解质材料电导率的Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法。本发明使用溶胶凝胶法制备了Si位掺杂Cu的硅基磷灰石电解质材料La10-xSi6-yCuyO26+1.5x-y,其中0≤x≤0.67,0.7<y≤2;Cu的掺杂可以有效提高材料的离子电导率。本发明在硅基磷灰石体系的Si位掺杂Cu,由于Cu2+的离子半径大于Si4+,Cu掺杂可以增大晶胞参数和氧迁移通道的尺寸,提升载流子的迁移率,所以Cu掺杂可以达到提高电导率的目的。在相同的Cu掺杂量下,降低La位的阳离子缺位数量,可以增加体系的氧离子数量,从而提高氧离子迁移过程中的载流子的数量,进一步提高材料的电导率。 | ||
搜索关键词: | 一种 cu 掺杂 磷灰石 电解质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料,其特征在于:所述的Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料的分子式为:La10‑xSi6‑yCuyO26+1.5x‑y,其中0≤x≤0.67,0.7<y≤2。
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