[发明专利]键合前进行基板表面预处理的方法有效
申请号: | 201410371146.7 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104157551B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 林挺宇;顾海洋;李婷 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B24B37/04 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种键合前进行基板表面预处理的方法,其特征是,包括以下步骤(1)将基板在硬度为50~100邵氏D的研磨垫上进行第一次抛光,基板的研磨量为基板总厚度的3~5%;(2)将基板在硬度为50~100邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第二次抛光,基板的研磨量为基板总厚度的2~3%;(3)将基板在硬度为30~50邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第三次抛光,基板的研磨量为基板总厚度的1~1.5%;经步骤(3)抛光后的基板表面粗糙度<15nm;(4)基板依次经超声水洗、SC1低碱性溶剂和SC2酸性溶剂清洗;(5)基板干燥。本发明能够使基板表面平整度、清洁度和亲水性达到要求,并可对多种材料表面进行处理。 | ||
搜索关键词: | 键合前 进行 表面 预处理 方法 | ||
【主权项】:
一种键合前进行基板表面预处理的方法,其特征是,包括以下工艺步骤:(1)基板第一次抛光:将基板在硬度为50~100邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第一次抛光研磨,研磨头主压力区的压力值为2.5~3psi,基板的研磨量为基板总厚度的3~5%;(2)基板的第二次抛光:将步骤(1)处理后的基板在硬度为50~100邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第二次抛光研磨,研磨头主压力区的压力值为2~2.5psi,基板的研磨量为基板总厚度的2~3%;经步骤(1)和步骤(2)抛光后的基板表面平整度<5%;(3)基板的第三次抛光:将步骤(2)处理后的基板在硬度为30~50邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第三次抛光研磨,研磨头主压力区的压力值为1~2psi,基板的研磨量为基板总厚度的1~1.5%;经步骤(3)抛光后的基板表面粗糙度<15nm;(4)将经过三次抛光后的基板依次经超声水洗、SC1碱性溶剂和SC2酸性溶剂清洗;(5)最后对清洗过的基板进行干燥处理;所述步骤(1)和步骤(2)中所采用的研磨液对键合表面材料的选择比为1:1,研磨液中研磨颗粒采用SiOx、Al2O3或CeO2,研磨颗粒尺寸为5~160nm,研磨液中研磨颗粒的含量为0.01wt%~20wt%;所述步骤(1)和步骤(2)中,研磨头的转速为70~130rpm,研磨垫的转速为70~130rpm,并且研磨垫与研磨头的转速保持1rpm的差别;所述步骤(3)中,研磨头的转速为60~90rpm,研磨垫的转速为60~90rpm,并且研磨垫与研磨头的转速保持1rpm的差别;所述步骤(4)中,采用超声波和去离子水清洗时,超声功率为150~400MHz,清洗时间为5~60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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