[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 201410365836.1 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304549A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面生长垫氧化层；在垫氧化层的表面沉积氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、垫氧化层及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽的底部和侧壁生长衬氧化层；在浅沟槽内及氮化硅层的表面沉积二氧化硅介质层；采用化学机械抛光技术对沉积的二氧化硅介质层进行平坦化处理直至氮化硅层；采用BHF清洗氮化硅层的表面；去除氮化硅层。本发明在化学机械抛光二氧化硅介质层后采用BHF清洗氮化硅层的表面，BHF与二氧化硅化学反应，从而避免了有二氧化硅残留在氮化硅层的表面，确保后续在去除氮化硅层时，氮化硅层能够全部去尽而不会发生氮化硅有残留的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面生长垫氧化层；在垫氧化层的表面沉积氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、垫氧化层及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽的底部和侧壁生长衬氧化层；在浅沟槽内及氮化硅层的表面沉积二氧化硅介质层；采用化学机械抛光技术对沉积的二氧化硅介质层进行平坦化处理直至氮化硅层；去除氮化硅层；其特征在于，在所述步骤采用化学机械抛光技术对沉积的二氧化硅介质层进行平坦化处理直至氮化硅层之后，步骤去除氮化硅层之前，还包括采用BHF清洗氮化硅层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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