[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410364165.7 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104821183B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李譓怜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括与字线电耦接的存储器单元。另外，半导体器件包括操作电路，该操作电路对电耦接至选中字线的存储器单元执行编程循环。此外，当执行编程循环的次数超过参照数量时，操作电路增大施加至编程目标存储器单元的位线的编程允许电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储器单元，其与字线电耦接；以及操作电路，其适于对电耦接至选中字线的存储器单元执行编程循环，其中，所述操作电路适于：当执行所述编程循环的次数超过参照数量时，增大施加至编程目标存储器单元的位线的编程允许电压，其中，所述字线被配置在源极选择线与漏极选择线之间，以及所述参照数量随着所述选中字线对所述漏极选择线的靠近而增大。
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