[发明专利]用于SiConi蚀刻的反应腔及方法

摘要

本发明提供了一种用于SiConi蚀刻的反应腔及方法，属于半导体工艺制造领域，通过在反应腔内设置多个晶圆基座，低温基座与高温基座交替围成一圈，旋转架顺着同一方向将晶圆旋转至相邻的晶圆基座进行刻蚀或挥发，直至晶圆旋转至卸载口。本发明结构简单实用，增加晶圆产能，提高经济效益；此外，在晶圆进行挥发工艺时，向晶圆表面输送氩气，可加快晶圆表面刻蚀副产物的挥发速度，进一步提高单位时间内晶圆的产能。

主权项

一种用于SiConi蚀刻的反应腔，其特征在于，包括反应腔、两组晶圆基座、输气管道以及旋转架；其中，所述晶圆基座沿反应腔的圆周方向上均匀分布，一组晶圆基座为相同温度值的低温基座，一组晶圆基座为相同温度值的高温基座，每组晶圆基座的数量为两个或三个，所述低温基座与所述高温基座交替排列围成一圈,所述低温基座的温度范围为0℃～50℃，所述高温基座的温度范围为150℃～200℃；所述输气管道设置在各晶圆基座的上方并与其一一对应，所述输气管道为低温基座上的晶圆输送刻蚀剂，为高温基座上的晶圆输送挥发剂；所述旋转架顺着同一方向旋转，包括依次固定连接的旋转轴、旋转臂和若干用于夹持晶圆的夹持件，所述旋转轴带动所述旋转臂使所述晶圆旋转至相邻晶圆基座；所述反应腔的腔壁上设有装载口及卸载口，所述装载口对应所述低温基座，所述卸载口对应所述高温基座；所述晶圆通过机械手传送至所述装载口，完成刻蚀工艺后，由机械手从所述卸载口将所述晶圆取出反应腔。