[发明专利]固态成像装置、其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410353256.0 | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104347657B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 堀越浩 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 赵国荣 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开涉及一种固态成像装置、其制造方法以及电子设备,该固态成像装置包括其中设置像素的成像区域、围绕成像区域且包括电极焊垫的连接区域、以及对于像素的每一个形成在成像区域中的层内透镜。层内透镜由涂层式高折射系数材料形成。连接区域包括开口,该开口形成为使电极焊垫的上表面从施加到电极焊垫的高折射系数材料暴露。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:成像区域,在该成像区域中设置像素;连接区域,围绕该成像区域且包括电极焊垫;以及层内透镜,对该像素的每一个形成在该成像区域中,该层内透镜通过回蚀刻涂层式高折射系数材料形成,该连接区域包括开口,该开口形成为使该电极焊垫的上表面从施加到该电极焊垫的该高折射系数材料暴露,其中,该电极焊垫上的该高折射系数材料设定为厚度小于与回蚀刻该高折射系数材料的蚀刻量对应的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的