[发明专利]形成包含硅化及非硅化电路组件的半导体结构的方法

摘要

本发明涉及形成包含硅化及非硅化电路组件的半导体结构的方法，提供一种方法，包括：提供包括至少一个第一电路组件和至少一个第二电路组件的半导体结构。该第一电路组件包括第一半导体材料，而该第二电路组件包括第二半导体材料。形成具有内在应力的介电层。该介电层包括在该至少一个第一电路组件上方的第一部分和在该至少一个第二电路组件上方的第二部分。进行第一退火制程。在第一退火制程中，内在应力是至少在该第一半导体材料中通过应力记忆产生。在第一退火制程之后，去除该应力介电层的第一部分。形成金属层，且进行第二退火制程。在第二退火制程中，金属与该第一半导体材料发生化学反应，形成硅化物。该介电层的第二部分实质上防止该第二半导体材料和该金属之间的化学反应产生。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供半导体结构，包含含有第一半导体材料的至少一个第一场效晶体管以及含有第二半导体材料的至少一个第二场效晶体管，其中每个该至少一个第二场效晶体管比每个该至少一个第一场效晶体管具有更大的栅极长度；形成至少一个非晶区在该第一半导体材料和该第二半导体材料的每个中，其中，该至少一个非晶区的形成包括使用非掺杂物质的离子照射该半导体结构；形成蚀刻停止层于该至少一个第一场效晶体管及该至少一个第二场效晶体管上方；在形成该蚀刻停止层之后，形成具有内在应力的介电层，该介电层包括在该至少一个第一场效晶体管上方的第一部分以及在各个该至少一个第二场效晶体管的至少一部分上方的第二部分，其中，该蚀刻停止层及该介电层由不同材料形成；进行第一退火制程，其中，该至少一个非晶区被再结晶且内在应力通过应力记忆而至少在该再结晶至少一个非晶区中产生；在进行该第一退火制程之后，去除该介电层的该第一部分及在该至少一个第一场效晶体管上方的该蚀刻停止层的一部分，形成金属层和进行第二退火制程，其中，该金属和该第一半导体材料发生化学反应以形成硅化物，该介电层的该第二部分实质上防止该第二半导体材料与该金属之间的化学反应在各个该至少一个第二场效晶体管的至少一部分中。