专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成包含硅化及非硅化电路组件的半导体结构的方法-CN201410352843.8有效
  • S·梅茨格;D·瑟伯;J·帕兹尔;M·伦斯基 - 格罗方德半导体公司
  • 2014-07-23 - 2018-12-14 - H01L21/283
  • 本发明涉及形成包含硅化及非硅化电路组件的半导体结构的方法,提供一种方法,包括:提供包括至少一个第一电路组件和至少一个第二电路组件的半导体结构。该第一电路组件包括第一半导体材料,而该第二电路组件包括第二半导体材料。形成具有内在应力的介电层。该介电层包括在该至少一个第一电路组件上方的第一部分和在该至少一个第二电路组件上方的第二部分。进行第一退火制程。在第一退火制程中,内在应力是至少在该第一半导体材料中通过应力记忆产生。在第一退火制程之后,去除该应力介电层的第一部分。形成金属层,且进行第二退火制程。在第二退火制程中,金属与该第一半导体材料发生化学反应,形成硅化物。该介电层的第二部分实质上防止该第二半导体材料和该金属之间的化学反应产生。
  • 形成包含非硅化电路组件半导体结构方法

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