[发明专利]三维存储装置在审
申请号: | 201410342696.6 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN105304634A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 吕函庭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;G11C16/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维存储装置。三维存储装置包括存储元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。存储元件区包括第一叠层结构以及第二叠层结构。第一叠层结构包括第一半导体条,第二叠层结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于存储元件区的一侧,第一半导体条的一端连接第一阶梯结构。第二阶梯结构位于存储元件区的对侧,第二半导体条的一端连接第二阶梯结构。第一导电条透过第一阶梯结构耦接至第一半导体条。第二导电条透过第二阶梯结构耦接至第二半导体条。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储装置,包括:一存储元件区,包括:一第一叠层结构,包括一第一半导体条;以及一第二叠层结构,包括一第二半导体条,该第二叠层结构与该第一叠层结构平行且相邻;一第一阶梯结构,位于该存储元件区外的一侧,该第一半导体条的一端连接该第一阶梯结构;一第二阶梯结构,位于该存储元件区外的对侧,该第二半导体条的一端连接该第二阶梯结构;一第一导电条,透过该第一阶梯结构耦接至该第一半导体条;以及一第二导电条,透过该第二阶梯结构耦接至该第二半导体条;其中该第一半导体条与该第二半导体条的间距与该第一导电条与该第二导电条的间距相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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