[发明专利]功率控制用驱动电路

摘要

本发明涉及一种可使被控功率控制器件（MOSFET或IGBT）的开通和关断时间较短，驱动电流足够大的功率控制用驱动电路。其包括驱动电路前级，用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压；N‑MOSFET，其栅极接驱动电路前级的电压输出端；该N‑MOSFET的栅极与源极之间设有第一电阻,N‑MOSFET的漏极接驱动电源；P‑MOSFET，其栅极接驱动集成电路的电压输出端；N‑MOSFET的源极与P‑MOSFET的源极之间设有第二电阻；被控功率控制器件，其栅极串接第三电阻后接P‑MOSFET的源极,被控功率控制器件的源极接P‑MOSFET的漏极。

主权项

一种功率控制用驱动电路，其特征在于包括：驱动电路前级，用于根据外部送入的PWM信号控制其电压输出端的输出电压；N‑MOSFET（Q1），其栅极（G）接所述驱动电路前级的电压输出端；该N‑MOSFET（Q1）的栅极（G）与源极（S）之间设有第一电阻（R1），N‑MOSFET（Q1）的漏极（D）接驱动电源；P‑MOSFET（Q2），其栅极（G）接所述驱动电路前级的电压输出端；所述N‑MOSFET（Q1）的源极（S）与P‑MOSFET（Q2）的源极（S）之间设有第二电阻（R2）；被控功率控制器件（Q3），其栅极（G）串接第三电阻（R3）后接所述P‑MOSFET（Q2）的源极（S），所述被控功率控制器件（Q3）的源极（S）接所述P‑MOSFET（Q2）的漏极（D）；所述驱动电路前级的电压输出端能输出的电压为5V‑15V，且输出电流和吸收电流的峰值不小于50mA；所述被控功率控制器件为MOSFET。