[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，首先形成保护层覆盖基底上的选择栅、控制栅以及多晶硅层；再对所述多晶硅层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露出部分所述多晶硅层；此时在基底表面沉积具有流动性的填充物，使其覆盖所述保护层、多晶硅层以及所述选择栅和控制栅之间的孔隙，再去除所述保护层和多晶硅层上的所述填充物，仅保留所述孔隙中的填充物；完成上述步骤之后再刻蚀所述多晶硅层以形成逻辑栅。此种半导体器件的制造方法在刻蚀时，孔隙中具有填充物保护，能很好地解决孔隙下方材料因刻蚀受到损坏的问题。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底包括第一部分和第二部分，所述第一部分上形成有选择栅和控制栅，所述第二部分上形成有多晶硅层；形成保护层覆盖所述选择栅、控制栅以及所述多晶硅层；对所述多晶硅层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露出部分所述多晶硅层；沉积具有流动性的填充物，覆盖所述保护层、多晶硅层以及所述选择栅和控制栅之间的孔隙；去除所述保护层和多晶硅层上的所述填充物，仅保留所述孔隙中的填充物；刻蚀所述多晶硅层以在所述第二部分上形成逻辑栅；以及去除所述孔隙中的填充物以及所述保护层。