[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410323950.8 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104332492A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋;金兑根;朴赞毫;许泫廷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，其包括：彼此间隔开地布置在衬底的一个表面上的发射极和第一场板；布置在衬底的另一个表面上的集电极；布置在衬底中的沟槽式栅极；布置在衬底中的场扩散结；以及连接沟槽式栅极和第一场板的第一触点。第一场板具有第一部分和第二部分，第一部分相对于第一触点朝着发射极延伸并具有第一宽度，第二部分相对于第一触点朝着场扩散结延伸并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：发射极和第一场板，所述发射极和第一场板布置在衬底的一个表面上并且彼此间隔开；集电极，其布置在所述衬底的另一个表面上；沟槽式栅极，其布置在所述衬底中；场扩散结，其布置在所述衬底中；以及第一触点，其连接所述沟槽式栅极和所述第一场板，其中，所述第一场板具有第一部分和第二部分，所述第一部分相对于所述第一触点朝着所述发射极延伸并具有第一宽度，所述第二部分相对于所述第一触点朝着所述场扩散结延伸并具有大于第一宽度的第二宽度。
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