[发明专利]一种GaN基异质结肖特基二极管器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种GaN基异质结肖特基二极管器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底之上的外延层，其中，外延层由下往上包括应力缓冲层、GaN层以及异质结构势垒层。在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表面蒸镀低功函数金属层，低功函数金属层上方以及异质结构势垒层平面区域蒸镀高功函数金属层。高低功函数金属层构成混合阳极。阴极区域处蒸镀欧姆金属形成阴极。外延层整体覆盖钝化绝缘层，刻蚀绝缘层开出电极窗口。本发明实现混合阳极金属与阳极凹槽技术的结合，正向偏压下电流通过阳极凹槽侧壁提前开启，反向偏压下通过异质结构势垒层表面的高功函数金属层截止反向漏电流，实现了正反向电流通道的分离，可达到低开启电压，低反向漏电流的GaN基异质结肖特基二极管器件的技术目标。

主权项

一种GaN基异质结肖特基二极管器件，器件包括衬底及生长在衬底之上的外延层，其中，外延层由下往上包括应力缓冲层、GaN层以及异质结构势垒层；其特征在于，设于外延层上的阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽由异质结构势垒层刻蚀至GaN层内，凹槽与异质结构势垒层的部分表面覆盖蒸镀低功函数金属层，低功函数金属层上方以及异质结构势垒层的部分平面区域蒸镀高功函数金属层；高、低功函数金属层两者构成混合阳极；设于外延层上的阴极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结构势垒层接触的阴极，余下露出表面的外延层整体覆盖绝缘层。